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參數(shù)資料
| 型號： | HB52R329E22 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內存（256 MB的寄存同步的DRAM內存） |
| 文件頁數(shù)： | 7/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 630K |
| 代理商： | HB52R329E22 |
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HB52R329E22-D
7
Byte No. Function described
Bit7 Bit6 Bit5 Bit4 Bit3 Bit2 Bit1 Bit0 Hex value Comments
20
SDRAM device attributes:
W
latency
0
0
0
0
0
0
0
1
01
0
21
SDRAM device attributes
0
0
0
1
0
1
1
0
16
Registered
22
SDRAM device attributes:
General
0
0
0
0
1
1
1
0
0E
V
CC
±
10%
23
SDRAM cycle time
(2nd highest
CE
latency)
(-A6D) 10 ns
1
0
1
0
0
0
0
0
A0
CL = 2
(-B6D) Undefined
0
0
0
0
0
0
0
0
00
24
SDRAM access from Clock
(2nd highest
CE
latency)
(-A6D) 6 ns
0
1
1
0
0
0
0
0
60
CL = 2
(-B6D) Undefined
0
0
0
0
0
0
0
0
00
25
SDRAM cycle time
(3rd highest
CE
latency)
Undefined
0
0
0
0
0
0
0
0
00
26
SDRAM access from Clock
(3rd highest
CE
latency)
Undefined
0
0
0
0
0
0
0
0
00
27
Minimum row precharge time
0
0
0
1
0
1
0
0
14
20 ns
28
Row active to row active min
RE
to
CE
delay min
Minimum
RE
pulse width
0
0
0
1
0
1
0
0
14
20 ns
29
0
0
0
1
0
1
0
0
14
20 ns
30
0
0
1
1
0
0
1
0
32
50 ns
31
Density of each bank on module 0
0
1
0
0
0
0
0
20
2 bank
128M byte
32
Address and command signal
input setup time
0
0
1
0
0
0
0
0
20
2 ns*
3
33
Address and command signal
input hold time
0
0
0
1
0
0
0
0
10
1 ns*
3
34
Data signal input setup time
0
0
1
0
0
0
0
0
20
2 ns*
3
35
Data signal input hold time
0
0
0
1
0
0
0
0
10
1 ns*
3
36 to 61 Superset information
0
0
0
0
0
0
0
0
00
Future use
62
SPD data revision code
0
0
0
1
0
0
1
0
12
Rev. 1.2A
63
Checksum for bytes 0 to 62
(-A6D)
0
0
1
1
0
1
1
1
37
55
(-B6D)
0
0
1
1
0
1
0
1
35
53
64
Manufacturer’s JEDEC ID code
0
0
0
0
0
1
1
1
07
HITACHI
65 to 71 Manufacturer’s JEDEC ID code
0
0
0
0
0
0
0
0
00
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52R329E2 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52RD168DB | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52RD328DC | 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
| HB52RF1289E2-75B | x72 SDRAM Module |
| HB52RF1289E2 | 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52R329E22-A6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52R329E22-B6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52R329E22-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword × 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M × 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R329E2-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52R649E1U-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword × 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M × 4 Components) PC100 SDRAM |
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