- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383036 > GS8180D18 (GSI TECHNOLOGY) 1Mb x 18Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(1M x 18位獨(dú)立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS8180D18 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 1Mb x 18Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(1M x 18位獨(dú)立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| 中文描述： | 1兆x 18位獨(dú)立的I / O西格瑪?shù)腄DR SRAM的（100萬× 18位獨(dú)立的I / O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 28/33頁 |
| 文件大小： | 874K |
| 代理商： | GS8180D18 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁當(dāng)前第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
28/33
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8180D09/18B-333/300/275/250
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Symbol
V
IHT
V
ILT
I
INTH
I
INTL
I
OLT
V
OHT
V
OLT
Min.
0.65 * V
DD
Max.
V
DD
+0.3
0.35 * V
DD
Unit
Notes
Test Port Input High Voltage
V
1
Test Port Input Low Voltage
–0.3
V
1
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–100
2
uA
2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–2
2
uA
3
TDO Output Leakage Current
–2
2
uA
4
Test Port Output High Voltage
V
DDQ
– 100 mV
—
V
5, 6
Test Port Output Low Voltage
—
100 mV
V
7
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
Input Under/overshoot voltage must be –1 V < Vi < V
DD
+ 1 V with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
The TDO output driver is served by the V
DD
supply.
I
OH
= –100 uA
I
OL
= +100 uA
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as as shown unless otherwise noted.
Parameter
Conditions
V
DD
– 200 mV
200 mV
1 V/ns
V
DD
/2
V
DD
/2
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
DQ
V
T
= V
DD
/2
50
JTAG Port AC Test Load
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8180S36 | 512K x 36Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(512K x 36位獨(dú)立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| GS8180S18 | 1Mb x 18Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(1M x 18位獨(dú)立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| GS8180S09 | 2Mb x 9Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(2M x 9位獨(dú)立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| GS820322T-138 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032Q-100 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8180Q36D-167X | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 (18 MEG)SIGMA QUAD I -SEPERATE I/O BURST OF 2 - Trays |
| GS8180QV36BGD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 512KX36 2.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS8180QV36BGD-167I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 512KX36 2.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.45NS 165FPBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。