- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383036 > GS8180D18 (GSI TECHNOLOGY) 1Mb x 18Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(1M x 18位獨立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS8180D18 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 1Mb x 18Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(1M x 18位獨立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| 中文描述： | 1兆x 18位獨立的I / O西格瑪?shù)腄DR SRAM的（100萬× 18位獨立的I / O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 20/33頁 |
| 文件大小： | 874K |
| 代理商： | GS8180D18 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁當前第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁
Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
20/33
2000, Giga Semiconductor, Inc.
A
Advanced Information
GS8180D09/18B-333/300/275/250
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Symbol
-333
-300
-275
-250
Units
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
0°C
to
70°C
–40°C
to
+85°C
Operating
Current
E1
≤
V
IL
Max.
tKHKH
≥
tKHKH Min.
All other inputs
V
IL
≥
V
IN
≥
V
IH
I
DDP
Pipeline
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
mA
Bank Deselect
Current
E2 or E3 False
tKHKH
≥
tKHKH Min.
All other inputs
V
IL
≥
V
IN
≥
V
IH
I
SB1
Pipeline
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
mA
Chip Disable
Current
E1
≥
V
IH
Min.
tKHKH
≥
tKHKH Min.
All other inputs
V
IL
≥
V
IN
≥
V
IH
I
SB2
Pipeline
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
mA
CMOS Deselect
Current
Device Deselected
All inputs
V
SS
+ 0.10 V
≥
V
IN
≥
V
DD
– 0.10 V
I
DD3
Pipeline
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
TBD
mA
Note: Power measured with outputs disconnected.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8180S36 | 512K x 36Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(512K x 36位獨立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| GS8180S18 | 1Mb x 18Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(1M x 18位獨立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| GS8180S09 | 2Mb x 9Bit Separate I/O Sigma DDR SRAM(2M x 9位獨立I/O接口雙數(shù)據(jù)速率讀和寫模式靜態(tài)ΣRAM) |
| GS820322T-138 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS82032Q-100 | 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8180Q36D-167X | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 (18 MEG)SIGMA QUAD I -SEPERATE I/O BURST OF 2 - Trays |
| GS8180QV36BGD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 512KX36 2.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS8180QV36BGD-167I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V 18MBIT 512KX36 2.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.5NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182D08BD-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 16MBIT 2MX8 0.45NS 165FPBGA - Trays |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。