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參數(shù)資料
| 型號： | AGR18030EF |
| 廠商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 9/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | AGR18030EF |
AGR18030EF
30 W, 1.805 GHz—1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor
Package Dimensions
All dimensions are in inches. Tolerances are ±0.005 in. unless specified.
AGR18030EF
AGERE
AGR21045F
YYWWLL
ZZZZZZZ
1
2
3
1
3
2
PINS:
1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
PEAK DEVICES
AGR18030EF
XXXX
XXXX - 4 Digit Trace Code
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AGR19045EF | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
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| AGR21060EU | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| AGR21180EF | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AGR18045E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:45 W, 1.805 GHz-1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor |
| AGR18045EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR18060E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor |
| AGR18060EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR18060EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor |
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