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參數(shù)資料
| 型號： | AGR18030EF |
| 廠商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | AGR18030EF |
30 W, 1.805 GHz—1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor
AGR18030EF
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 26 V, IDQ = 300 mA, fc = 1842.5 MHz, EDGE MODULATION.
Figure 10. Power Gain, Efficiency, and EVM vs. Output Power
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.1
1.0
10.0
100.0
POUT (W)Z
G
PS
(d
B)
,D
RA
IN
EF
FI
CI
EN
CY
(%
)Z
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EVM
(%
RMS)
Z
EVM
GPS
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| AGR18045EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR18060E | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor |
| AGR18060EF | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| AGR18060EU | 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor |
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