參數(shù)資料
型號： AGR18030EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 397K
代理商： AGR18030EF
AGR18030EF
30 W, 1.805 GHz—1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 26 V, IDQ = 300 mA, f = 1842.5 MHz, CW MEASUREMENT.
Figure 4. Output Power and Efficiency vs. Input Power
TEST CONDITIONS:
VDD = 26 V, f = 1842.5 MHz, CW MEASUREMENT.
Figure 5. CW Power Gain vs. Output Power
0
10
20
30
40
50
60
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
PIN (W)
PO
UT
(W
)
0
10
20
30
40
50
60
DR
AI
N
EF
FI
CI
EN
CY
(%
)
POUT
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
0.0
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
POUT (W)Z
G
PS
(d
B)
Z
IDQ = 200 mA
IDQ = 250 mA
IDQ = 300 mA
IDQ = 350 mA
IDQ = 400 mA
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PDF描述
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AGR21060EU S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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參數(shù)描述
AGR18045E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:45 W, 1.805 GHz-1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor
AGR18045EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR18060E 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor
AGR18060EF 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF LDMOS Transistor RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
AGR18060EU 制造商:TRIQUINT 制造商全稱:TriQuint Semiconductor 功能描述:60 W, 1805 MHz-1880 MHz, LDMOS RF Power Transistor
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