參數(shù)資料
型號： AGR18030EF
廠商： TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 397K
代理商： AGR18030EF
30 W, 1.805 GHz—1.880 GHz, LDMOS RF Power Transistor
AGR18030EF
Typical Performance Characteristics (continued)
TEST CONDITIONS:
VDD = 26 V, IDQ = 300 mA, PIN = 25 dBm, CW MEASUREMENT.
Figure 6. Wideband Gain and Return Loss
TEST CONDITIONS:
VDD = 26 V, fc = 1842.5 MHz, TWO-TONE MEASUREMENT, 100 kHz SPACING.
Figure 7. Two Tone Power Gain vs. Output Power
11.0
11.5
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
14.5
15.0
15.5
16.0
1750
1770
1790
1810
1830
1850
1870
1890
1910
1930
1950
FREQUENCY (MHz)Z
G
PS
(d
B)
Z
-25
-20
-15
-10
-5
0
IR
L
(d
B)
Z
IRL
GPS
12.0
12.5
13.0
13.5
14.0
14.5
15.0
15.5
16.0
0.1
1.0
10.0
100.0
POUT (W) (PEP)Z
G
PS
(d
B)
Z
IDQ = 200 mA
IDQ = 250 mA
IDQ = 300 mA
IDQ = 350 mA
IDQ = 400 mA
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PDF描述
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