參數(shù)資料
型號： V29C51004T-90J
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： x8 Flash EEPROM
中文描述： x8閃存EEPROM的
文件頁數(shù)： 8/15頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： V29C51004T-90J
8
V29C51004T/V29C51004B Rev. 1.5 October 2000
MOSEL V ITELIC
V29C51004T/V29C51004B
Waveforms of DATA Polling Cycle
Waveforms of Toggle Bit Cycle
t
OEH
t
CE
t
WHWH1 (2 or 3)
t
OH
t
DF
t
CH
CE
OE
WE
I/O
7
I/O
7
I/O
7
VALID DATA OUT
HIGH-Z
t
OE
51004-13
I/O
0
-I/O
6
I/O
0
-I/O
6
INVALID
VALID DATA OUT
HIGH-Z
51004-14
CE
WE
OE
t
OEH
stop toggling
I/O
6
t
WHWH1 (2 or 3)
相關PDF資料
PDF描述
V29C51004T-70T x8 Flash EEPROM
V29C51004T-70J x8 Flash EEPROM
V29C51004B-90T x8 Flash EEPROM
V29C51004B High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲器)
V29C51400B High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲器)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
V29C51004T-90T 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:x8 Flash EEPROM
V29C51400B 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51400T 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29GB618 功能描述:電源排插 6’L 4 outlets 18" center distance RoHS:否 制造商:Wiremold 出口數(shù)量: 浪涌能量額定值: 數(shù)據(jù)線路保護:N 電線長度:15 ft 安裝風格: 輸出電壓:120 V 電流額定值:15 A
V29GL01GP11FAIR20 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G（128M x 8） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*