參數(shù)資料
型號(hào)： V29C51004T-90J
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： x8 Flash EEPROM
中文描述： x8閃存EEPROM的
文件頁數(shù)： 7/15頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： V29C51004T-90J
MOSEL V ITELIC
V29C51004T/V29C51004B
7
V29C51004T/V29C51004B Rev. 1.5 October 2000
Waveforms of CE Controlled-Program Cycle
Waveforms of Erase Cycle
(1)
NOTES:
1.
2.
3.
PA: The address of the memory location to be programmed.
PD: The data at the byte address to be programmed.
SA: The sector address for Sector Erase.
t
WC
t
AS
t
WHWH1
t
WPH
t
OES
t
RC
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
DF
t
OH
t
OE
D
OUT
I/O7
PD
(2)
A0H
51004-11
ADDRESS
5555H
PA
PA
(1)
WE
OE
CE
I/O
t
WC
t
AS
t
WPH
t
WHWH2
3
ADDRESS
CE
OE
WE
I/O
5555H
5555H
5555H
2AAAH
2AAAH
SA
(5555H for Chip Erase)
AAH
55H
80H
AAH
55H
30H
(10H for
Chip Erase)
51004-12
t
AH
t
WP
t
DS
t
DH
t
CS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V29C51004T-70T x8 Flash EEPROM
V29C51004T-70J x8 Flash EEPROM
V29C51004B-90T x8 Flash EEPROM
V29C51004B High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器)
V29C51400B High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
V29C51004T-90T 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:x8 Flash EEPROM
V29C51400B 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
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