參數(shù)資料
型號： V29C51004T-90J
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： x8 Flash EEPROM
中文描述： x8閃存EEPROM的
文件頁數(shù)： 5/15頁
文件大?。?/td> 67K
代理商： V29C51004T-90J
MOSEL V ITELIC
V29C51004T/V29C51004B
5
V29C51004T/V29C51004B Rev. 1.5 October 2000
AC Electrical Characteristics
(over all temperature ranges)
Read Cycle
Program (Erase/Program) Cycle
Parameter
Name
Parameter
-70
-90
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
t
RC
Read Cycle Time
70
—
90
—
ns
t
AA
Address Access Time
—
70
—
90
ns
t
ACS
Chip Enable Access Time
—
70
—
90
ns
t
OE
Output Enable Access Time
—
35
—
45
ns
t
CLZ
CE Low to Output Active
0
—
0
—
ns
t
OLZ
OE Low to Output Active
0
—
0
—
ns
t
DF
OE or CE High to Output in High Z
0
30
0
40
ns
t
OH
Output Hold from Address Change
0
—
0
—
ns
Parameter
Name
Parameter
-70
-90
Unit
Min.
Typ.
Max.
Min.
Typ.
Max.
t
WC
Write Cycle Time
70
—
—
90
—
—
ns
t
AS
Address Setup Time
0
—
—
0
—
—
ns
t
AH
Address Hold Time
45
—
—
45
—
—
ns
t
CS
CE Setup Time
0
—
—
0
—
—
ns
t
CH
CE Hold Time
0
—
—
0
—
—
ns
t
OES
OE Setup Time
0
—
—
0
—
—
ns
t
OEH
OE High Hold Time
0
—
—
0
—
—
ns
t
WP
WE Pulse Width
35
—
—
45
—
—
ns
t
WPH
WE Pulse Width High
20
—
—
30
—
—
ns
t
DS
Data Setup Time
30
—
—
30
—
—
ns
t
DH
Data Hold Time
0
—
—
0
—
—
ns
t
WHWH1
Programming Cycle
—
—
20
—
—
20
μ
s
t
WHWH2
Sector Erase Cycle
—
—
10
—
—
10
ms
t
WHWH3
Chip Erase Cycle
—
2
—
—
2
—
sec
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V29C51004T-70T x8 Flash EEPROM
V29C51004T-70J x8 Flash EEPROM
V29C51004B-90T x8 Flash EEPROM
V29C51004B High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲器)
V29C51400B High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
V29C51004T-90T 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:x8 Flash EEPROM
V29C51400B 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51400T 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
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V29GL01GP11FAIR20 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G（128M x 8） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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