參數資料
型號： V29C51004T-90J
廠商： Mosel Vitelic, Corp.
英文描述： x8 Flash EEPROM
中文描述： x8閃存EEPROM的
文件頁數： 12/15頁
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代理商： V29C51004T-90J
12
V29C51004T/V29C51004B Rev. 1.5 October 2000
MOSEL V ITELIC
V29C51004T/V29C51004B
Byte Program Algorithm
Chip/Sector Erase Algorithm
Write Byte-Write
Command Sequence
Add/Data
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/A0H
Four Bus
Cycle
Sequence
PA/PD
Data Polling or Toggle bit
successfully completed
or t
WTWH (2 or 3)
timeout
Data Polling or Toggle bit
successfully completed
or t
WTWH (2 or 3)
timeout
Writing
Completed
Write Erase
Command Sequence
Add/Data
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/80H
Six Bus
Cycle
Sequence
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/10H (Chip Erase)
SA/30H (Sector Erase)
Erase Completed
51004-16
相關PDF資料
PDF描述
V29C51004T-70T x8 Flash EEPROM
V29C51004T-70J x8 Flash EEPROM
V29C51004B-90T x8 Flash EEPROM
V29C51004B High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲器)
V29C51400B High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲器)
相關代理商/技術參數
參數描述
V29C51004T-90T 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:x8 Flash EEPROM
V29C51400B 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51400T 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29GB618 功能描述:電源排插 6’L 4 outlets 18" center distance RoHS:否 制造商:Wiremold 出口數量: 浪涌能量額定值: 數據線路保護:N 電線長度:15 ft 安裝風格: 輸出電壓:120 V 電流額定值:15 A
V29GL01GP11FAIR20 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH - NOR 存儲容量:1G（128M x 8） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 標準包裝:1
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