參數(shù)資料
型號(hào): V29C51004T-90J
廠商: Mosel Vitelic, Corp.
英文描述: x8 Flash EEPROM
中文描述: x8閃存EEPROM的
文件頁(yè)數(shù): 6/15頁(yè)
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代理商: V29C51004T-90J
6
V29C51004T/V29C51004B Rev. 1.5 October 2000
MOSEL V ITELIC
V29C51004T/V29C51004B
Waveforms of Read Cycle
Waveforms of WE Controlled-Program Cycle
NOTES:
1.
2.
3.
I/O
7
: The output is the complement of the data written to the device.
PA: The address of the memory location to be programmed.
PD: The data at the byte address to be programmed.
t
RC
t
AA
t
CE
t
OE
t
CLZ
t
OH
t
AA
t
OLZ
t
DF
ADDRESS
CE
OE
WE
I/O
VALID DATA OUT
VALID DATA OUT
HIGH-Z
51004-09
HIGH-Z
t
WC
t
AS
PA
5555H
t
WHWH1
t
WPH
t
CS
t
RC
t
AH
t
DS
t
DH
t
WP
t
OES
t
DF
t
OH
t
OE
D
OUT
I/O
7(1)
PD
(3)
A0H
51004-10
ADDRESS
CE
OE
WE
I/O
3rd bus cycle
PA
(2)
t
CH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
V29C51004T-70T x8 Flash EEPROM
V29C51004T-70J x8 Flash EEPROM
V29C51004B-90T x8 Flash EEPROM
V29C51004B High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器)
V29C51400B High Speed 4 MEGA Bit 5 Volt CMOS Flash Memory(高速4M位5V CMOS閃速存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
V29C51004T-90T 制造商:MOSEL 制造商全稱(chēng):MOSEL 功能描述:x8 Flash EEPROM
V29C51400B 制造商:MOSEL 制造商全稱(chēng):MOSEL 功能描述:4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29C51400T 制造商:MOSEL 制造商全稱(chēng):MOSEL 功能描述:4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY
V29GB618 功能描述:電源排插 6’L 4 outlets 18" center distance RoHS:否 制造商:Wiremold 出口數(shù)量: 浪涌能量額定值: 數(shù)據(jù)線路保護(hù):N 電線長(zhǎng)度:15 ft 安裝風(fēng)格: 輸出電壓:120 V 電流額定值:15 A
V29GL01GP11FAIR20 功能描述:IC MEMORY 1GB FLASH SMD 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-P 包裝:* 零件狀態(tài):Last Time Buy 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:1G(128M x 8) 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1