參數(shù)資料
型號： STDL80
英文描述： STDL80 0.5 Micron STDL80 Standard Cell Library|Data Sheet
中文描述： STDL80 0.5微米STDL80標(biāo)準(zhǔn)單元庫|數(shù)據(jù)表
文件頁數(shù)： 15/662頁
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代理商： STDL80
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INTRODUCTION TO STDL80
PRODUCT FAMILY
SEC ASIC
1-3
STDL80
< Input/Output Cells >
There are about 400 different I/O buffers. Each I/O cell
is implemented solely on the basic I/O cell architecture
which forms the periphery of the masterslice.
A test logic is provided to enable the efficient
parametric (threshold voltage) testing on input buffers
including CMOS and TTL level converters, Schmitt
trigger input buffers, clock drivers and oscillator
buffers. Pull-up and pull-down resistors are optional
features.
Three basic types of output buffers (non-inverting, tri-
state and open drain) are available in a range of
driving capabilities from 1mA to 24mA. The slew rate
control is provided for each buffer type (except 1mA
and 2mA buffers) to reduce output power/ground bus
noise and signal ringing, especially in simultaneous
switching outputs.
Bi-directional buffers are combinations of input buffers
and output buffers (tri-state or open drain) in a single
unit. The bi-directional output drive capability of 5V
tolerant I/O is in the range of 1mA to 6mA. The I/O
structure has been fully characterized for ESD
protection and latch-up resistance.
For user’s convenience, STDL80 library provides with
three options of pull-down and pull-up resistances
respectively. They are 50K
,
100K
, and 200K
(The default value is 100K
).
I/O Cell Drive Options
To provide designers with the greater flexibility, each I/
O buffer can be selected among various current levels
(e.g., 1mA, 2mA, ..., 24mA). The choice of current-
level for I/O buffers affects their propagation delay and
current noise.
The slew rate control helps decrease the system noise
and output signal overshoot/undershoot caused by the
switching of output buffers. The output edge rate can
be slowed down by selecting the high slew rate control
cells. STDL80 provides three different sets of output
slew rate controls. Only one I/O slot is required for any
slew rate control options.
5V Tolerant I/O Buffers
STDL80 library is a process which has the most
optimum performance in 3.3V. In this process,
voltages more than 3.6V are not allowed at the gate
oxide because of a reliability problem. And a special
circuit is adopted in order to make pin voltage tolerable
up to 5.25V and to offer TTL interface driving up to
6mA. Obviously, this circuit is constructed not to
permit more than 3.6 voltages at the gate oxide. The
external circuit diagram is as follows.
The maximum external tolerance voltage of this buffer
is 5.5V. And the leakage current of tri-state input pin
and output pin is less than 10nA in 0 ~ 5V and less
than 70
μ
A in 5.5V. When the output is tri-state and the
output pin voltage is 5V, 5V of bulk bias voltage is
required to prevent current from flowing through a
chip, however, almost no current flows. If the bulk bias
is 3.3V, it operates as a 3.3V normal buffer.
PCI Buffers
In addition to input, output, bi-directional, slew rate
controlled and Schmitt trigger I/O buffers, SEC ASIC
now offers PCI (Peripheral Component Interconnect) I/
O buffers. PCI is expected to be better suited to the
more complex and feature-rich design than the
existing local bus standards. 5V tolerant and 3.3V PCI
buffers are included in this library.
Core 3.3V I/O bias 5.0V 3.3V
5.0V
Output voltage
3.3V
Open drain output
5V tolerant input
Tri-state output
Bi-directional I/O
0.5
μ
m 3.3V process
Normal 5V process
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STDM110 STDM110|Data Sheet
STDRJ45 Ethernet Patch Cords with connectors
STE150N10 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 150A I(D)
STE15N100 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D)
STE16N100 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)DSS | 16A I(D)
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參數(shù)描述
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STDLED525 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STDLED525 Series N-Channel 525 V 1.5 O Power Mosfet Surface Mount - TO-252-3
STDLED602 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4Ohm 2A 45W High dv/dt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:600 V 閘/源擊穿電壓:30 V 漏極連續(xù)電流:2 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:4 Ohms 配置:Single 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DPAK 封裝:Reel
STDLED623 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3A DPAK
STDLED624 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Tape and Reel 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STDLED624 Series N-Channel 620 V 2.2 O Power Mosfet Surface Mount - TO-252-3
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