型號: | SI5415-H |
廠商: | AUK Corp |
英文描述: | IRED |
中文描述: | 登記合格決定 |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 188K |
代理商: | SI5415-H |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SI5415-H(B) | IRED |
SI9925 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
SI9925DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
SI9947DY | Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
SI9956DY | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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SI5415-H(B) | 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:IRED |
SI54-180 | 制造商:DELTA 制造商全稱:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor |
SI5418DU | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
SI5418DU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 31W 14.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
Si5419DU-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 31W 20mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |