參數(shù)資料
型號： SI5415-H
廠商： AUK Corp
英文描述： IRED
中文描述： 登記合格決定
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： SI5415-H
KSD-O2S006-000
3
SI5415-H / SI5415-H(B)
Characteristic Diagrams
Fig. 1 I
F
- V
F
Fig.4 Spectrum Distribution
Fig. 3 I
F
– Ta
Fig. 2 I
E
- I
F
F
F
Ambient Temperature Ta [
℃
]
R
Wavelength
λ
[nm]
Forward Voltage V
F
[V]
F
F
Forward Current I
F
[mA]
L
v
Fig. 5 Radiation Diagram
Relative Luminous Intensity Iv [%]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5415-H(B) IRED
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SI9925DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
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參數(shù)描述
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Si5419DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12A 31W 20mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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