參數(shù)資料
型號： SI5415-H
廠商： AUK Corp
英文描述： IRED
中文描述： 登記合格決定
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 188K
代理商： SI5415-H
KSD-O2S006-000
1
SI5415-H / SI5415-H(B)
IRED
2
1
0.60 Max.
5.60~6.60
2
1
1.00 Min.
1.20 Min.
4.80~5.20
8.40~8.80
1.00 Max.
1.00 Min.
2.90~3.90
26.00 Min.
2.54 Typ.
0
4.80~5.20
8.40~8.80
1.00 Max.
26.00 Min.
2.54 Typ.
0.60 Max.
1
5.60~6.60
0
0.05 Typ.
0.05 Typ.
Features
Purple Colored transparency lens type
φ
5mm(T-1
3/4
) all plastic mold type
Low power consumption
High radiant intensity
Applications
Infrared remote control and free air transmission systems with low forward voltage and
comfortable radiation angle requirements in combination with PIN photodiodes or phototransistors.
Outline Dimensions unit :
mm
STRAIGHT TYPE STOPPER TYPE : (B)
PI N Connections
1. Anode
2. Cathode
S
S
e
e
m
m
i
i
c
c
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o
n
n
d
d
u
u
c
c
t
t
o
o
r
r
相關PDF資料
PDF描述
SI5415-H(B) IRED
SI9925 N-channel enhancement mode field-effect transistor
SI9925DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
SI9947DY Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SI9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI5415-H(B) 制造商:AUK 制造商全稱:AUK corp 功能描述:IRED
SI54-180 制造商:DELTA 制造商全稱:Delta Electronics, Inc. 功能描述:SMT Power Inductor
SI5418DU 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI5418DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12A 31W 14.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si5419DU-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12A 31W 20mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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