參數(shù)資料
型號(hào)： SI4416DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single N-Channel MOSFET
中文描述： 9000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 253K
代理商： SI4416DY
Philips Semiconductors
Si4416DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 05 June 2001
7 of 13
9397 750 08299
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
I
D
= 250
μ
A; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
T
j
(
o
C)
V
GS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
I
D
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
(V)
max
typ
min
03af24
0
10
20
30
40
0
10
20
30
40
50
I
D
(A)
g
fs
(S)
T
j
= 25 oC
150 oC
V
DS
> I
D
X R
DSon
03af26
102
103
10-1
1
10
102
V
DS
(V)
C
iss
,
C
oss
,
C
rss
(pF)
C
iss
C
oss
C
rss
104
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