參數(shù)資料
型號(hào)： SI4416DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： Single N-Channel MOSFET
中文描述： 9000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 253K
代理商： SI4416DY
Philips Semiconductors
Si4416DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 05 June 2001
6 of 13
9397 750 08299
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
x R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristic: drain current as
function of gate-source voltage; typical values
Fig 5.
Output characteristic; drain current as
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03af21
0
10
20
30
40
50
I
D
(A)
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
V
GS
= 3 V
3.5 V
5V
10V
4 V
4.5V
03af23
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
5
V
GS
(V)
I
D
(A)
V
DS
> I
D
x R
DSon
Tj = 150 oC
25 oC
03af22
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
R
DSon
(
)
0
10
20
30
40
50
I
D
(A)
T
j
= 25 oC
V
GS
= 4.5 V
10 V
03ad57
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
-60
0
60
120
180
T
j
(oC)
a
a
R
DSon 25 C
°
)
---------------------------
=
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PDF描述
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