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參數(shù)資料
| 型號： | SI4416DY |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Single N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 9000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 13/13頁 |
| 文件大?。?/td> | 253K |
| 代理商： | SI4416DY |
Philips Electronics N.V. 2001.
Printed in The Netherlands
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Date of release: 05 June 2001
Document order number: 9397 750 08299
Contents
Philips Semiconductors
Si4416DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
1
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7
7.1
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Description
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance. . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Data sheet status
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Definitions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Disclaimers
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4800 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| SI4884 | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| Si4884DY | N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages |
| SI4884DY | Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| SI5311-H | IRED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4416DY_RC | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters |
| SI4416DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4416DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4416DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4418DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
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