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參數(shù)資料
| 型號： | SI4416DY |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Single N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 9000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 10/13頁 |
| 文件大小： | 253K |
| 代理商： | SI4416DY |
Philips Semiconductors
Si4416DY
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 01 — 05 June 2001
10 of 13
9397 750 08299
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
10. Revision history
Table 6:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20010605
Description
Product specification; initial version
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4800 | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| SI4884 | TrenchMOS⑩ logic level FET |
| Si4884DY | N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages |
| SI4884DY | Single N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET |
| SI5311-H | IRED |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4416DY_RC | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:R-C Thermal Model Parameters |
| SI4416DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4416DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4416DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 9A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4418DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V (D-S) MOSFET |
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