參數(shù)資料
型號： RD38F1020C0ZTL0
廠商： INTEL CORP
元件分類： 存儲器
英文描述： 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66
封裝： 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66
文件頁數(shù)： 56/70頁
文件大?。?/td> 1223K
代理商： RD38F1020C0ZTL0
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
56
Datasheet
B.6
DeviceGeometryDefinition
n
Table26. DeviceGeometryDefinition
Offset
Length
Description
Code
SeeTableBelow
27h
28h
1
2
“n”suchthatdevicesize=2
n
innumberofbytes
Flashdeviceinterface:x8asyncx16asyncx8/x16async
28:00,29:0028:01,29:0028:02,29:00
“n”suchthatmaximumnumberofbytesinwritebuffer=2
n
27:
28:
29:
2A:
2B:
--01
--00
--00
--00
x16
2Ah
2
0
2Ch
1
Numberoferaseblockregionswithindevice:
1.x=0meansnoeraseblocking;thedeviceerasesin“bulk”
2.xspecifiesthenumberofdeviceorpartitionregionswithoneor
morecontiguoussame-sizeeraseblocks.
3.Symmetricallyblockedpartitionshaveoneblockingregion
4.Partitionsize=(totalblocks)x(individualblocksize)
EraseBlockRegion1Information
bits0–15=y,y+1=numberofidentical-sizeeraseblocks
bits16–31=z,regioneraseblock(s)sizearezx256bytes
2C:
--02
2
2Dh
4
2D:
2E:
2F:
30:
31:
32:
33:
34:
31h
4
EraseBlockRegion2Information
bits0–15=y,y+1=numberofidentical-sizeeraseblocks
bits16–31=z,regioneraseblock(s)sizearezx256bytes
DeviceGeometryDefinition
Address
16-Mbit
32-Mbit
–B
--15
--01
--00
--00
--00
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--07
--00
--20
--00
--1E
--00
--00
--01
–T
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--00
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--07
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--00
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
RD38F1010C0ZBL0 CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes
RD28F1604C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F1602C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
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