參數(shù)資料
型號(hào)： RD38F1020C0ZTL0
廠商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66
封裝： 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66
文件頁(yè)數(shù)： 12/70頁(yè)
文件大?。?/td> 1223K
代理商： RD38F1020C0ZTL0
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
12
Datasheet
2.1.2
OutputDisable
WithF-OE#andS-OE#deasserted,theStacked-CSPoutputssignalsareplacedinahigh
-
impedancestate.
2.1.3
Standby
WithF-CE#andS-CS1#orS-CS2deasserted,theStacked-CSPentersastandbymode,which
substantiallyreducesdevicepowerconsumption.Instandby,outputsareplacedinahigh-
impedancestateindependentofF-OE#andS-OE#.Iftheflashisdeselectedduringaprogramor
eraseoperation,theflashcontinuestoconsumeactivepoweruntiltheprogramoreraseoperationis
complete.
Table3. 3VoltIntelAdvanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPBusOperations
Modes
FlashSignals
SRAMSignals
MemoryOutput
Notes
F
F
F
1
#
F
S
1
#
S
2
S
1
#
S
S
(
M
D
0
–
D
15
F
Read
H
L
L
H
SRAMmustbeinHighZ
Flash
D
OUT
2,3,4
Write
H
L
H
L
Flash
D
IN
2,4
Standby
H
H
X
X
AnySRAMmodeisallowable
Other
HighZ
5,6
OutputDisable
H
L
H
H
Other
HighZ
5,6
Reset
L
X
X
X
Other
HighZ
5,6
S
Read
FLASHmustbeinHighZ
L
H
L
H
L
SRAM
D
OUT
D
IN
2,4
Write
L
H
H
L
L
SRAM
2,4
Standby
AnyFLASHmodeisallowable
H
X
X
X
X
Other
HighZ
4,5,6
X
L
X
X
X
OutputDisable
L
H
H
H
X
Other
HighZ
4,5,6
DataRetention
sameasastandby
Other
HighZ
4,5,7
NOTES:
1. Twodevicesmaynotdrivethememorybusatthesametime.
2. TheSRAMmaybeplacedintodataretentionmodebyloweringtheS-V
CC
totheV
DR
range,asspecified.
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PDF描述
RD38F1010C0ZBL0 CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes
RD28F1604C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F1602C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
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