參數(shù)資料
型號(hào)： RD38F1020C0ZTL0
廠商： INTEL CORP
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66
封裝： 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66
文件頁數(shù)： 11/70頁
文件大?。?/td> 1223K
代理商： RD38F1020C0ZTL0
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
Datasheet
11
2.0
PrinciplesofOperation
TheflashmemoryutilizesaCUIandautomatedalgorithmstosimplifyprogramanderase
operations.TheWSMautomatesprogramanderaseoperationsbyhandlingdataandaddress
latches,WE#,andsystemstatusrequests.
.
2.1
BusOperation
AllbuscyclestoorfromtheStacked-CSPconformtostandardmicrocontrollerbuscycles.Four
controlsignalsdictatethedataflowinandoutoftheflashcomponent:F-CE#,F-OE#,F-WE#and
F-RP#.FourseparatecontrolsignalshandlethedataflowinandoutoftheSRAMcomponent:
S-CS1#,S-CS2,S-OE#,andS-WE#.Thesebusoperationsaresummarizedin
Table2
and
Table3
.
2.1.1
Read
Theflashmemoryhasfourreadmodes:readarray,readidentifier,readstatusandCFIquery.These
flashmemoryreadmodesarenotdependentontheF-V
PP
voltage.Uponinitialdevicepower
-
upor
afterexitfromreset,theflashdeviceautomaticallydefaultstoreadarraymode.F-CE#andF-OE#
mustbeassertedtoobtaindatafromtheflashcomponent.
TheSRAMhasonereadmodeavailable.S-CS1#,S-CS2,andS-OE#mustbeassertedtoobtain
datafromtheSRAMdevice.See
Table 3,“3VoltIntelAdvanced+BootBlockFlashMemory
Stacked-CSPBusOperations”onpage 12
forasummaryofoperations.
Figure2. 3VoltIntel
Advanced+BootBlockStackedChipScalePackageBlockDiagram
F-VCC
F-OE#
F-CE#
F-WP#
A[Max:0]
2-,4-or8-Mbit
SRAM
28F160C3
or
28F320C3
Flash
S-VCC
S-CS1
S-CS2
S-OE#
F-VCCQ
S-WE#
S-UB#
S-LB#
F-VPP
F-WE#
F-VSS
S-VSS
D[15:0]
F-RP#
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RD38F1010C0ZBL0 CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes
RD28F1604C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F1602C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F3208C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F1602C3BD70 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
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參數(shù)描述
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RD38F1020C0ZTL0B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32C/8S SCSP 3.0 - Tape and Reel
RD38F1020C0ZTL0SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
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RD38F1020W0YBQ0SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 65NS 66EBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
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