參數(shù)資料
型號(hào)： RD38F1020C0ZTL0
廠(chǎng)商： INTEL CORP
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
中文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA66
封裝： 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, SCSP-66
文件頁(yè)數(shù)： 28/70頁(yè)
文件大?。?/td> 1223K
代理商： RD38F1020C0ZTL0
3VoltIntel
Advanced+BootBlockFlashMemoryStacked-CSPFamily
28
Datasheet
0645_07
0666_05
NOTE:
C
L
includesjigcapacitance.
Table12. DCCharacteristics
Symbol
Parameter
Device
Note
2.7V–3.3V
Units
TestConditions
Min
Max
V
IL
InputLowVoltage
Flash/
SRAM
–0.2
0.6
V
V
IH
InputHighVoltage
Flash/
SRAM
2.3
V
+0.2
V
V
OL
OutputLowVoltage
Flash/
SRAM
–0.10
0.10
V
F-V
CC
/S-V
CC
= V
CC
Min
I
OL
= 100μA
F-V
CC
/S-V
CC
= V
CC
Min
I
OH
= –100μA
CompleteWriteProtection
V
OH
OutputHighVoltage
Flash/
SRAM
V
CC
–
0.1
V
V
PPLK
F-V
PP
Lock-OutVoltage
Flash
1
1.0
V
V
PP1
F-V
PP
duringProgram/Erase
Flash
1
1.65
3.3
V
V
PP2
V
LKO
Operations
1,2
11.4
12.6
V
CC
Prog/EraseLockVoltage
Flash
1.5
V
V
LKO2
V
CCQ
Prog/EraseLockVoltage
Flash
1.2
V
NOTES:
1. EraseandProgramareinhibitedwhenF-V
<V
andnotguaranteedoutsidethevalidF-V
rangesofV
andV
.
2. ApplyingF-V
=11.4V–12.6Vduringprogram/erasecanonlybedoneforamaximumof1000cyclesonthemainblocksand
2500cyclesontheparameterblocks.F-V
pp
maybeconnectedto12Vforatotalof80hoursmaximum.See
Section4.2.1
for
details.
Figure4. Input/OutputReferenceWaveform
NOTE:
ACtestinputsaredrivenatV
foralogic“1”and0.0Vforalogic“0.”Inputtimingbegins,andoutput
timingends,atV
CCQ
/2.Inputriseandfalltimes(10%–90%)<10ns.Worstcasespeedconditionsare
whenV
CCQ
=V
CCQ
Min.
INPUT
OUTPUT
TESTPOINTS
V
CC
0.0
V
CC
2
V
CC
2
Figure5. TestConfiguration
Device
UnderTest
Out
C
L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RD38F1010C0ZBL0 CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V CAPACITOR, BESTCAP 33 MILLI FARAD 7V; CAPACITANCE:33MF; VOLTAGE RATING, DC:7V; CAPACITOR DIELECTRIC TYPE:ELECTRONIC; SERIES:BESTCAP; TEMP, OP. MAX:75(DEGREE C); TEMP, OP. MIN:-20(DEGREE C); RoHS Compliant: Yes
RD28F1604C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F1602C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F3208C3T90 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
RD28F1602C3BD70 3 VOLT INTEL Advanced+BootBlock FlashMemory(C3)Stacked-ChipScalPackageFamilye
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RD38F1020C0ZTL0A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32C/8S SCSP 3.0 - Trays
RD38F1020C0ZTL0B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:32C/8S SCSP 3.0 - Tape and Reel
RD38F1020C0ZTL0SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 70NS 66EBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:FLASH 存儲(chǔ)容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán)
RD38F1020W0YBQ0 制造商:NUMONYX 制造商全稱(chēng):Numonyx B.V 功能描述:Wireless Flash Memory (W18/W30 SCSP)
RD38F1020W0YBQ0SB93 功能描述:IC FLASH 32MBIT 65NS 66EBGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
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