參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F640J3
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 8/45頁(yè)
文件大小： 317K
代理商： MT28F640J3
8
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
Table 3
Micron SirusFlash Memory Command Set Definitions
1
COMMA ND
SCA LA BLE
OR BASIC
COMMA ND
SET
2
SCS/BCS
SCS/BCS
BUS
CY CLES
REQ’ D
FIRST BUS CYCLE
SECOND BUS CYCLE
OPER
3
WRITE
WRITE
A DDR
4
DATA
5, 6
X
X
OPER
3
A DDR
4
DATA
5, 6
NOTES*
READ ARRAY
READ IDENTIFIER
CODES
READ QUERY
READ STATUS
REGISTER
CLEAR STATUS
REGISTER
WRITE TO BUFFER
WORD/BYTE
PROGRAM
1
FFh
90h
2
READ
IA
ID
7
SCS
2
2
WRITE
WRITE
X
X
98h
70h
READ
READ
QA
X
QD
SRD
SCS/BCS
8
SCS/BCS
1
WRITE
X
50h
SCS/BCS
SCS/BCS
> 2
2
WRITE
WRITE
BA
X
E8h
40h
or
10h
20h
B0h
WRITE
WRITE
BA
PA
N
PD
9, 10, 11
12, 13
BLOCK ERASE
BLOCK ERASE,
PROGRAM SUSPEND
BLOCK ERASE,
PROGRAM RESUME
CONFIGURATION
SET READ
CONFIGURATION
SET BLOCK LOCK BITS
CLEAR BLOCK
LOCK BITS
PROTECTION
PROGRAM
SCS/BCS
SCS/BCS
2
1
WRITE
WRITE
X
X
WRITE
BA
D0h
11, 12
12, 14
SCS/BCS
1
WRITE
X
D0h
12
SCS
2
2
WRITE
WRITE
X
X
B8h
60h
WRITE
WRITE
X
CC
03h
RCD
SCS
SCS
2
2
WRITE
WRITE
X
X
60h
60h
WRITE
WRITE
BA
X
01h
D0h
15
2
WRITE
X
C0h
WRITE
PA
PD
*Notes appear on the next page.
COMMAND DEFINITIONS
When the V
PEN
voltage
≤
V
PPLK
, only READ operations
from the status register, query, identifier codes, or
blocks are enabled. Placing V
PENH
on V
PEN
enables BLOCK
ERASE, PROGRAM, and LOCK BIT CONFIGURATION
operations. Device operations are selected by writing
specific commands into the CEL, as seen in Table 3.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT35212A BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter
MT35212AE BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter
MT35212AP BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter
MT46V32M16TG-8L DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM
MT46V64M8TG-75 DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MT28F640J3BS-115 ET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT28F640J3BS-115 ET TR 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
MT28F640J3BS-115 GMET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT28F640J3BS-115 GMET TR 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
MT28F640J3BS-115 MET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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