參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F640J3
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 32/45頁(yè)
文件大小： 317K
代理商： MT28F640J3
32
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
Figure 11
PROTECTION REGISTER PROGRAMMING
Flowchart
Yes
No
1, 1
0, 1
1, 1
Full Status
Check if Desired
SR7 = 1
Start
PROGRAM
Successful
PROTECTION REGISTER
PROGRAMMING Error
Attempted Program to
Locked Register –
Aborted
V
PEN
Range Error
FULL STATUS CHECK PROCEDURE
Read Status
Register
SR3, SR4 =
PROGRAM
Complete
Read Status Register
Data (see above)
SR1, SR4 =
SR1, SR4 =
Write C0h
(Protection Register
Program Setup)
Write Protect Register
Address Data
BUS
OPERATION
WRITE
COMMAND
PROTECTION
PROGRAM
SETUP
PROTECTION
PROGRAM
COMMENTS
Data = C0h
WRITE
Data = Data to Program
Addr = Location to
Program
Status Register Data
Toggle CE# or OE# to
update status register data
Check SR7
1 = ISM Ready
0 = ISM Busy
READ
STANDBY
PROTECTION PROGRAM operations can only be addressed
within the protection register address space. Addresses
outside the defined space will return an error.
Repeat for subsequent programming operations.
SR full status check can be done after each program or after
a sequence of program operations.
Write FFh after the last program operation to reset device
to read array mode.
BUS
OPERATION
STANDBY
STANDBY
COMMENTS
SR1
0
0
COMMAND
SR3
1
0
SR4
1
1
V
PEN
LOW
Protection
Register
Program
Error
Register
Locked:
Aborted
STANDBY
1
0
1
SR3, if set during a program attempt, MUST be cleared
before further attempts are allowed by the ISM.
SR1, SR3, and SR4 are only cleared by the CLEAR STAUS
REGISTER command, in cases of multiple protection register
program operations, before full status is checked.
If an error is detected, clear the status register before
attempting retry or other error recovery.
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PDF描述
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參數(shù)描述
MT28F640J3BS-115 ET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT28F640J3BS-115 ET TR 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
MT28F640J3BS-115 GMET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT28F640J3BS-115 GMET TR 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
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