參數(shù)資料
型號： MT28F640J3
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲器)
中文描述： 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 39/45頁
文件大小： 317K
代理商： MT28F640J3
39
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
AC CHARACTERISTICS – READ-ONLY OPERATIONS
(Notes: 1, 2, 4); Expanded Temperature (-25oC
≤
T
A
≤
+85oC)
3.3V–3.6V V
CC
/V
CC
Q 2.7V–3.6V V
CC
/V
CC
Q
PARAMETER
READ/WRITE Cycle Time
SYMBOL
t
RC
DENSITY
32Mb
64Mb
32Mb
64Mb
32Mb
64Mb
ALL
32Mb
64Mb
ALL
ALL
ALL
ALL
ALL
MIN
100
120
MAX
MIN
100
120
MAX
UNITS
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
Address to Output Delay
t
AA
100
120
100
120
50
150
180
100
120
100
120
50
150
180
CEx to Output Delay
t
ACE
3
OE# to Non-Array Output Delay
RP# HIGH to Output Delay
t
AOE
t
RWH
ns
ns
3, 5
CEx to Output in Low-Z
OE# to Output in Low-Z
CEx HIGH to Output in High-Z
OE# HIGH to Output in High-Z
Output Hold from Address, CEx, or OE#
Change, Whichever Occurs First
CEx LOW to BYTE# HIGH or LOW
BYTE# to Output Delay
BYTE# to Output in High-Z
t
OEC
t
OEO
t
ODC
t
ODO
t
OH
0
0
0
0
ns
ns
ns
ns
ns
6
6
6
6
6
55
15
55
15
0
0
t
CB
t
ABY
t
ODB
ALL
ALL
ALL
10
10
ns
ns
ns
6
1,000
1,000
1,000
1,000
6
CEx HIGH to CEx LOW
Page Address Access Time
OE# to Array Output Delay
t
CWH
t
APA
t
AOA
ALL
ALL
ALL
0
0
ns
ns
ns
6
6
5
25
25
30
30
NOTE:
1. CEx LOW is defined as the first edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CEx HIGH is defined at the first edge
of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see Table 1).
2. See AC Input/Output Reference Waveforms for the maximum allowable input slew rate.
3. OE# may be delayed up to
t
ACE -
t
AOE after the first edge of CEx that enables the device (see Table 1) without impact
on
t
ACE .
4. See Figures 12 and 13, Transient Input/Output Reference Waveform for V
CC
Q = 3.0V–3.6V or V
CC
Q = 2.7V–3.6V, and
Transient Equivalent Testing Load Circuit for testing characteristics.
5. When reading the Flash array, a faster
t
AOE applies. Nonarray READs refer to status register READs, QUERY READs, or
DEVICE IDENTIFIER READs.
6. Sampled, not 100% tested.
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MT28F640J3BS-115 ET TR 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
MT28F640J3BS-115 GMET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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