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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT28F640J3 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 43/45頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 317K |
| 代理商： | MT28F640J3 |
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43
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
t
AH
t
WPH
t
VPS
t
WR
t
STS
t
VPH
t
WB
0
30
0
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
90
0
90
WRITE OPERATIONS
NOTE:
1. CEx LOW is defined as the first edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CEx HIGH is defined at the first edge
of CE0, CE1, or CE2 that disables the device (see Table 1). STS is shown in its default mode (RY/BY#).
2. V
CC
power-up and standby.
3. Write block erase, write buffer, or program setup.
4. Write block erase or write buffer confirm, or valid address and data.
5. Automated erase delay.
6. Read status register or query data.
7. WRITE READ ARRAY command.
Disabled
CEx# (WE#)
Enabled
Addresses
OE#
DQ0–DQ15
UNDEFINED
Disabled
WE# (CEx#)
Enabled
V
IH
V
IL
A
IN
V
PEN
RP#
V
IH
V
IL
V
PENLK
V
PENH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
A
IN
D
IN
D
IN
t
AS
Note 3
Note 2
Note 4
Note 5
Note 6
Note 7
t
RS
t
CH
t
WR
t
AH
t
CS
t
WPH
t
WP
t
STS
t
DS
t
DH
t
WB
V
IL
STS
V
OH
V
OL
VALID
READY SRD
VALID
BUSY SRD
D
IN
t
VPS
t
VPH
-10/-12
TYP
SYMBOL
MAX
UNITS
TIMING PARAMETERS
-10/-12
TYP
1
0
70
50
55
10
0
SYMBOL
t
RS
t
CS
t
WP
t
DS
t
AS
t
CH
t
DH
MAX
UNITS
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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PDF描述 |
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