參數(shù)資料
型號： MT28F640J3
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲器)
中文描述： 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 36/45頁
文件大?。?/td> 317K
代理商： MT28F640J3
36
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
RECOMMENDED DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Expanded Temperature (-25oC
≤
T
A
≤
+85oC)
DESCRIPTION
CONDITIONS
SY MBOL
TY P
MA X
UNITS NOTES
V
CC
Standby
Current
CMOS Inputs, V
CC
= V
CC
MAX,
Device is enabled
RP# = V
CC
Q ±0.2V
TTL inputs, V
CC
= V
CC
MAX,
Device is enabled, RP# = V
IH
RP# = GND ±0.2V,
I
OUT
(STS) = 0mA
CMOS inputs, V
CC
= V
CC
MAX,
V
CC
Q = V
CC
Q MAX using standard
4-word page mode READs;
Device is enabled,
f = 5 MHz, I
OUT
= 0mA
CMOS inputs,V
CC
= V
CC
MAX,
V
CC
Q = V
CC
Q MAX using standard
4-word page mode READs;
Device is enabled,
f = 33 MHz, I
OUT
= 0mA
CMOS inputs, V
CC
= V
CC
MAX,
V
CC
Q = V
CC
Q MAX using standard
word/byte single READs;
Device is enabled,
f = 5 MHz, I
OUT
= 0mA
I
CC
1
50
120
μA
1, 2, 3
0.71
2
mA
V
CC
Power-Down
Current
V
CC
Page Mode
Read Current
I
CC
2
50
120
μA
I
CC
3
15
20
mA
1, 3
24
29
mA
V
CC
Byte Mode
Read Current
I
CC
4
40
50
mA
1, 3
NOTE:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. These currents are valid for all product versions (packages and speeds).
2. Includes STS.
3. CMOS inputs are either V
CC
±0.2V or GND ±0.2V. TTL inputs are either V
IL
or V
IH
.
4. Sampled, not 100% tested.
5. I
CCWS
and I
CCES
are specified with the device deselected. If the device is read or written while in erase suspend mode,
the device’s current draw is I
CCR
or I
CCW
.
6. Block erases, programming, and lock bit configurations are inhibited when V
PEN
≤
V
PENLK
, and not guaranteed in the
range between V
PENLK
(MAX) and V
PENH
(MIN), and above V
PENH
(MAX).
7. Typically, V
PEN
is connected to V
CC
(2.7V–3.6V).
8. Block erases, programming, and lock bit configurations are inhibited when V
CC
< V
LKO
, and not guaranteed in the range
between V
LKO
(MIN) and V
CC
(MIN), and above V
CC
(MAX).
(continued on next page)
CAPACITANCE
(T
A
= +25oC; f = 1 MHz)
PA RA METER/CONDITION
1
Input Capacitance
Output Capacitance
SY MBOL
C
C
OUT
TY P
6
8
MA X
8
12
UNITS
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MT35212AE BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter
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參數(shù)描述
MT28F640J3BS-115 ET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT28F640J3BS-115 ET TR 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
MT28F640J3BS-115 GMET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
MT28F640J3BS-115 GMET TR 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
MT28F640J3BS-115 MET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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