參數(shù)資料
型號： MJE253
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon Power Plastic Transistors(互補型硅功率晶體管)
中文描述： 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA
封裝： PLASTIC, CASE 77-09, TO-225, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： MJE253
MJE243 NPN, MJE253 PNP
http://onsemi.com
5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
h
Figure 8. DC Current Gain
Figure 9. “On” Voltages
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
200
500
0.06
0.1
0.4
4.0
0.04
100
70
50
20
0.2
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 10. Temperature Coefficients
5.0
1.0
2.0
0.6
25
°
C
T
J
= 150
°
C
55
°
C
0.04
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1.2
0.8
0.4
0
0.04 0.06
T
J
= 25
°
C
V
NPN
MJE243
PNP
MJE253
100
70
50
200
30
20
2.0
h
25
°
C
T
J
= 150
°
C
55
°
C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
V
V
CE(sat)
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
VB
FOR V
BE
0
0.04 0.06
T
J
= 25
°
C
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 1.0 V
V
θ
°
+2.5
+2.0
+1.5
+1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
+0.5
2.5
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE/3
25
°
C to 150
°
C
55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
55
°
C to 25
°
C
V
θ
°
+2.5
+2.0
+1.5
+1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
+0.5
2.5
*APPLIES FOR I
C
/I
B
≤
h
FE/3
25
°
C to 150
°
C
55
°
C to 25
°
C
25
°
C to 150
°
C
55
°
C to 25
°
C
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 2.0 V
7.0
10
30
300
0.06
0.1
0.4
4.0
0.2
1.0
2.0
0.6
0.1
0.4
4.0
0.2
1.0
2.0
0.6
0.06
0.1
0.4
4.0
0.04
0.2
1.0
2.0
0.6
0.04 0.06
0.1
0.4
4.0
0.2
1.0
2.0
0.6
0.1
0.4
4.0
0.2
1.0
2.0
0.6
1.0
0.6
0.2
1.4
1.2
0.8
0.4
1.0
0.6
0.2
3.0
5.0
7.0
10
5.0
I
C
/I
B
= 10
V
CE(sat)
5.0
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
*
VC
FOR V
CE(sat)
VB
FOR V
BE
*
VC
FOR V
CE(sat)
相關PDF資料
PDF描述
MJE350 Plastic Medium Power PNP Silicon Transistor(0.5A,300V,20W,塑料中等功率硅PNP晶體管)
MJE4353 High-Voltage High Power Transistor(16A,160V,高壓大功率硅PNP晶體管)
MJE800 Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors(互補型達林頓硅功率晶體管)
MJF4343 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJF6388 Complementary Power Darlingtons(互補型功率晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJE253G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE253G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJE254 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE270 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE270G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*