參數(shù)資料
型號(hào)： MJF4343
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
中文描述： 功率晶體管互補(bǔ)性的芯片
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 142K
代理商： MJF4343
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . designed for use in high power audio amplifier applications and high voltage
switching regulator circuits.
High Collector–Emitter Sustaining Voltage —
NPN
VCEO(sus) = 160 Vdc — MJE4343 MJE4353
High DC Current Gain — @ IC = 8.0 Adc
hFE = 35 (Typ)
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ IC = 8.0 Adc
PNP
(1) Pulse Test: Pulse Width
5.0
μ
s, Duty Cycle
Collector–Emitter Voltage
VCEO
160
Vdc
Peak (1)
PD
TJ, Tstg
–65 to +150
20
Base Current — Continuous
IB
5.0
Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25 C
Operating and Storage Junction
125
Watts
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
10%.
Symbol
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
1.0
C/W
3.5
0
Figure 1. Power Derating
Reference: Ambient Temperature
TA, AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
25
50
100
125
3.0
2.5
0.5
75
150
1.0
1.5
2.0
P
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJE4343/D
16 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
160 VOLTS
CASE 340D–02
TO–218 TYPE
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MJF44H11GOS-ND 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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