參數(shù)資料
型號: MJE253
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Complementary Silicon Power Plastic Transistors(互補型硅功率晶體管)
中文描述: 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA
封裝: PLASTIC, CASE 77-09, TO-225, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大?。?/td> 89K
代理商: MJE253
MJE243 NPN, MJE253 PNP
http://onsemi.com
2
C
OFF CHARACTERISTICS
CEO(sus)
(V
= 100 Vdc, I
= 0)
(V
CE
= 100 Vdc, I
E
= 0, T
C
= 125 C)
0.1
0.1
Emitter Cutoff Current (V
BE
= 7.0 Vdc, I
C
= 0)
I
EBO
0.1
Adc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
C
CE
h
(I
C
= 500 mAdc, I
B
= 50 mAdc)
C
B
0.3
BE(sat)
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
C
CE
test
Output Capacitance
C
50
pF
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PDF描述
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參數(shù)描述
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MJE253G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJE254 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE270 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE270G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2