參數(shù)資料
型號(hào)： MJE253
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon Power Plastic Transistors(互補(bǔ)型硅功率晶體管)
中文描述： 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA
封裝： PLASTIC, CASE 77-09, TO-225, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 89K
代理商： MJE253
MJE243 NPN, MJE253 PNP
http://onsemi.com
3
16
20
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
40
60
100
120
160
12
P
1.6
0
1.2
8.0
0.8
4.0
0.4
80
140
T
P
T
Figure 2. Switching Time Test Circuit
+11 V
25 s
0
9.0 V
R
B
4 V
D
1
SCOPE
V
CC
+30 V
R
C
t
r
, t
f
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
51
R
B
and R
C
VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D
1
MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE I
MSD6100 USED BELOW I
FOR PNP TEST CIRCUIT, REVERSE ALL POLARITIES
B
≈
100 mA
B
≈
100 mA
1K
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25
°
C
t
500
300
200
100
50
30
20
t
d
10
5
3
2
1
0.01
0.03 0.05
0.5
0.2
0.1
0.3
10
Figure 3. TurnOn Time
5
2
1
3
t
r
NPN MJE243
PNP MJE253
0.02
t, TIME (ms)
0.01
0.02
0.05
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0.1
0.5
0.2
1.0
0.7
0.2
0.1
0.07
0.05
r
JC
(t) = r(t)
JC
JC
= 8.34
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t
1
T
J(pk)
T
C
= P
(pk)
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
DUTY CYCLE, D = t
1
/t
2
0.2
0 (SINGLE PULSE)
(
Figure 4. Thermal Response
0.5
D = 0.5
0.05
0.3
0.03
0.02
0.1
0.02
0.01
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PDF描述
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參數(shù)描述
MJE253G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE253G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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MJE270 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE270G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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