- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄299463 > MBM29DL163TD12PBT (FUJITSU LTD) 1M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA48 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29DL163TD12PBT |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類(lèi)： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PBGA48 |
| 封裝： | PLASTIC, FBGA-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/76頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1146K |
| 代理商： | MBM29DL163TD12PBT |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)當(dāng)前第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)
MBM29DL16XTD/BD-70/90/12
15
Write/Erase/Program Operations
(Continued)
Parameter Symbols
Description
70
90
12
Unit
JEDEC
Standard
tAVAV
tWC
Write Cycle Time
Min.
70
90
120
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min.
0
ns
—tASO
Address Setup Time to OE Low During
Toggle Bit Polling
Min.
12
15
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min.
45
50
ns
—tAHT
Address Hold Time from CE or OE High
During Toggle Bit Polling
Min.
0
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min.
30
35
50
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min.
0
ns
—tOEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
ns
—tCEPH
CE High During Toggle Bit Polling
Min.
20
ns
—tOEPH
OE High During Toggle Bit Polling
Min.
20
ns
tGHWL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
ns
tGHEL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
ns
tELWL
tCS
CE Setup Time
Min.
0
ns
tWLEL
tWS
WE Setup Time
Min.
0
ns
tWHEH
tCH
CE Hold Time
Min.
0
ns
tEHWH
tWH
WE Hold Time
Min.
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min.
35
50
ns
tELEH
tCP
CE Pulse Width
Min.
35
50
ns
tWHWL
tWPH
Write Pulse Width High
Min.
25
30
ns
tEHEL
tCPH
CE Pulse Width High
Min.
25
30
ns
tWHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
s
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 1)
Typ.
1
sec
—tVCS
VCC Setup Time
Min.
50
s
—tVIDR
Rise Time to VID (Note 2)
Min.
500
ns
—tVACCR
Rise Time to VACC (Note 2)
Min.
500
ns
—tVLHT
Voltage Transition Time (Note 2)
Min.
4
s
—tWPP
Write Pulse Width (Note 2)
Min.
100
s
—tOESP
OE Setup Time to WE Active (Note 2)
Min.
4
s
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29DL32TF70TN | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| MBM29F800TA-70PFTN-E1 | 512K X 16 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| MBR-2051-1B5T | 51 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG |
| MBR-2069-0A1T | 69 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG |
| MBR-2069-0A2T | 69 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29DL163TD-70PBT | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL163TD-70PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL163TD-70PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL163TD-90PBT | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
| MBM29DL163TD-90PFTN | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M X 8/1M X 16) BIT Dual Operation |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。