參數(shù)資料
型號： IRGP30B120KD-E
廠商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode(帶超快軟恢復(fù)的絕緣柵雙極型晶體管,應(yīng)用于電機控制)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管的超快軟恢復(fù)二極管（帶超快軟恢復(fù)的絕緣柵雙極型晶體管，應(yīng)用于電機控制）
文件頁數(shù)： 8/12頁
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代理商： IRGP30B120KD-E
IRGP30B120KD-E
8
www.irf.com
Fig.21 - Typ. Diode E
rec
vs. I
F
Tj=125°C
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
0
10
20
30
40
50
60
I
F
(A)
E
5
10
22
51
Fig.23 - Typ. Gate Charge vs. V
GE
I
C
=25A; L=600μH
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
40
80
120
160
200
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
G
600V
800V
Fig.22 - Typical Capacitance vs V
CE
V
GE
=0V; f=1MHz
10
100
1000
10000
0
20
40
V
CE
(V)
60
80
100
C
C
ies
C
oes
C
res
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP4068D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGP4068DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRGP30B120KD-EP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT N CH 1200V 60A TO-247AD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT, N CH, 1200V, 60A, TO-247AD
IRGP30B120KD-EP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT Module
IRGP30B120KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP30B60KD 制造商:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR W/ ULTRAFAST SOFT RECOVERY - Bulk
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