參數(shù)資料
型號： IRGP30B120KD-E
廠商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode(帶超快軟恢復(fù)的絕緣柵雙極型晶體管,應(yīng)用于電機(jī)控制)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管的超快軟恢復(fù)二極管（帶超快軟恢復(fù)的絕緣柵雙極型晶體管，應(yīng)用于電機(jī)控制）
文件頁數(shù)： 11/12頁
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代理商： IRGP30B120KD-E
IRGP30B120KD-E
Fig. WF.2 - Typ. Turn-on Loss Waveform
@ Tj=125°C using Fig. CT.4
www.irf.com
11
Fig. WF.1 - Typ. Turn-off Loss Waveform
@ Tj=125°C using Fig. CT.4
Fig. WF.4 - Typ. S.C. Waveform
@ T
C
=150°C using Fig. CT.3
Fig. WF.3 - Typ. Diode Recovery Waveform
@ Tj=125°C using Fig. CT.4
0
200
400
600
800
1000
1200
-10
0
10
20
30
t i me (μs)
V
C
-50
0
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250
I
C
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0
-0.5
0.0
0.5
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t I me (μS)
V
C
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-20
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0
10
20
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I
C
Peak
I
RR
Q
RR
t
RR
10%
Peak
I
RR
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
4.0
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
t I me (μs)
V
C
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
I
C
TEST CURRENT
90% test current
10% test current
Eon Loss
5% V
CE
t r
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0
100
200
300
400
500
600
700
800
-0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
t I me (μs)
V
C
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
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I
C
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CE
t f
5% V
CE
5% I
CE
Eoff Loss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP4068D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGP4068DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGP50B60PDPBF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGPC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管)
IRGPC20M Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP30B120KD-EP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP30B120KD-EP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT N CH 1200V 60A TO-247AD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT, N CH, 1200V, 60A, TO-247AD
IRGP30B120KD-EP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT Module
IRGP30B120KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP30B60KD 制造商:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR W/ ULTRAFAST SOFT RECOVERY - Bulk
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