參數(shù)資料
型號: IRGP30B120KD-E
廠商: International Rectifier
英文描述: Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode(帶超快軟恢復(fù)的絕緣柵雙極型晶體管,應(yīng)用于電機(jī)控制)
中文描述: 絕緣柵雙極晶體管的超快軟恢復(fù)二極管(帶超快軟恢復(fù)的絕緣柵雙極型晶體管,應(yīng)用于電機(jī)控制)
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文件大小: 132K
代理商: IRGP30B120KD-E
IRGP30B120KD-E
Fig. CT.1 - Gate Charge Circuit (turn-off)
10
www.irf.com
Fig. CT.2 - RBSOA Circuit
Fig. CT.3 - S.C. SOA Circuit
L
Rg
80 V
DUT
1000V
D
C
Driver
DUT
900V
Fig. CT.4 - Switching Loss Circuit
1K
VCC
DUT
0
L
L
Rg
VCC
diode clamp /
DUT
DUT /
DRIVER
- 5V
Rg
VCC
DUT
R =
V
CC
I
CM
Fig. CT.5 - Resistive Load Circuit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP4068D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGP4068DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGP50B60PDPBF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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IRGPC20M Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(短路額定超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP30B120KD-EP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP30B120KD-EP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT N CH 1200V 60A TO-247AD 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT, N CH, 1200V, 60A, TO-247AD
IRGP30B120KD-EP 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT Module
IRGP30B120KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP30B60KD 制造商:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR W/ ULTRAFAST SOFT RECOVERY - Bulk