參數(shù)資料
型號(hào)： IRGP20B120UD
廠商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode(帶超快軟恢復(fù)二極管的絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管的超快軟恢復(fù)二極管（帶超快軟恢復(fù)二極管的絕緣柵雙極型晶體管）
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 127K
代理商： IRGP20B120UD
IRGP20B120UD-E
6
www.irf.com
Fig.15 - Typical Energy Loss vs Rg
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
I
CE
=20A; V
GE
=15V
3000
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Rg (ohms)
E
Eon
Eoff
Fig.13 - Typical Energy Loss vs Ic
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
Rg=22
; V
GE
=15V
6000
0
1000
2000
3000
4000
5000
0
10
20
30
40
50
I
C
(A)
E
Eon
Eoff
Fig.16 - Typical Switching Time vs Rg
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
I
CE
=20A; V
GE
=15V
1000
10
100
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55
Rg (ohms)
t
tdon
tdoff
tr
tf
Fig.14 - Typical Switching Time vs Ic
Tj=125°C; L=200μH; V
CE
=600V;
Rg=22
; V
GE
=15V
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
I
C
(A)
t
tdon
tdoff
tf
tr
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGP30B120KD-E Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode(帶超快軟恢復(fù)的絕緣柵雙極型晶體管,應(yīng)用于電機(jī)控制)
IRGP4068D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGP4068DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS
IRGP50B60PDPBF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGPC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGP20B120UD-E 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP20B120UD-EP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGP20B120UD-EP 制造商:International Rectifier 功能描述:; MOUNTING TYPE:THROUGH HOLE; PACKAGE/CA
IRGP20B120U-E 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 1.2KV, 40A, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:40A, Collect
IRGP20B120U-EP 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 5-40kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*