型號(hào): | IRG4PF50W |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管) |
中文描述: | 絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管) |
文件頁(yè)數(shù): | 6/8頁(yè) |
文件大小: | 138K |
代理商: | IRG4PF50W |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRG4PF50WD | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 |
IRG4PF50WD-201P | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
IRG4PF50WDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRG4PF50WPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRG4PG40FD | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours |