參數(shù)資料
型號(hào): IRG4PF50W
廠商: International Rectifier
英文描述: Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管)
中文描述: 絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管)
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
文件大小: 138K
代理商: IRG4PF50W
IRG4PF50W
6
www.irf.com
Fig. 12
- Turn-Off SOA
Fig. 11 -
Typical Switching Losses vs.
Collector-to-Emitter Current
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
12
I , Collector Current (A)
T
R = Ohm
T = 150 C
V = 720V
V = 15V
°
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V = 20V
T = 125 C
o
SAFE OPERATING AREA
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
I
C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRG4PF50WD-201P 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRG4PF50WDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PF50WPBF 功能描述:IGBT 晶體管 900V Warp 20-100kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRG4PG40FD 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Fit Rate / Equivalent Device Hours