參數(shù)資料
型號： IRG4PF50W
廠商： International Rectifier
英文描述： Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(絕緣柵型雙極型晶體管)
中文描述： 絕緣門雙極晶體管（IGBTs）（絕緣柵型雙極型晶體管）
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： IRG4PF50W
IRG4PF50W
www.irf.com
5
0
10
R , Gate Resistance
20
30
40
(
)
50
60
1.0
2.0
3.0
4.0
T
V = 720V
V = 15V
T = 25 C
I = 28A
Fig. 10
- Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
Fig. 9
- Typical Switching Losses vs. Gate
Resistance
Fig. 8
- Typical Gate Charge vs.
Gate-to-Emitter Voltage
Fig. 7 -
Typical Capacitance vs.
Collector-to-Emitter Voltage
0
40
80
120
160
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
V
I
= 400V
= 28A
CC
C
1
10
100
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
V , Collector-to-Emitter Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ce
f = 1MHz
+ C
gc ,
+ C
C SHORTED
GE
ies
res
oes
ge
gc
gc
C
ies
C
oes
C
res
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.1
1
10
100
T , Junction Temperature ( C )
T
R = Ohm
V = 15V
V = 720V
I = A
56
I = A
28
I = A
14
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PDF描述
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