參數(shù)資料
型號： IRG4RC10KPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管短路額定IGBT的超快速
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大小： 191K
代理商： IRG4RC10KPBF
IRG4RC10KPbF
Short Circuit Rated
06/10/04
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
UltraFast IGBT
Features
Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high
operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit
Rated to 10μs @ 125°C, V
GE
= 15V
Generation 4 IGBT design provides higher efficiency
than Generation 3
Industry standard TO-252AA package
Lead-Free
Benefits
Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available
IGBT's optimized for specified application conditions
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
0.3 (0.01)
Max.
3.3
50
–––
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Wt
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
Weight
g (oz)
When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
www.irf.com
E
C
G
n-channel
V
CES
= 600V
V
CE(on) typ.
= 2.39V
@V
GE
= 15V, I
C
= 5.0A
Parameter
Max.
600
9.0
5.0
18
18
10
± 20
34
38
15
Units
V
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
t
sc
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
STG
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Continuous Collector Current
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current
Clamped Inductive Load Current
Short Circuit Withstand Time
Gate-to-Emitter Voltage
Reverse Voltage Avalanche Energy
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
μs
V
mJ
-55 to + 150
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
PD 95389
1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB20B60PD1PBF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4055PbF PDP TRENCH 1GBT
IRGB4060DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGBC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRG4RC10KTRL 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A LEFT D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4RC10KTRR 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A RIGHT D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4RC10S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT D-PAK
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