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參數(shù)資料
| 型號： | IRG4RC10KPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
| 中文描述： | 絕緣柵雙極晶體管短路額定IGBT的超快速 |
| 文件頁數(shù)： | 10/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 191K |
| 代理商： | IRG4RC10KPBF |
Note: For the most current drawings please refer to the IR website at:
http://www.irf.com/package/
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGB20B60PD1PBF | WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB4055PbF | PDP TRENCH 1GBT |
| IRGB4060DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| IRGB4065PBF | PDP TRENCH IGBT |
| IRGBC20F | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRG4RC10KTR | 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4RC10KTRL | 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A LEFT D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4RC10KTRR | 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A RIGHT D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
| IRG4RC10S | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT D-PAK |
| IRG4RC10SD | 功能描述:IGBT STD W/DIODE 600V 8.0A D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標準包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標準 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商設備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
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