參數(shù)資料
型號： IRG4RC10KPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管短路額定IGBT的超快速
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 191K
代理商： IRG4RC10KPBF
IRG4RC10KPbF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
2
www.irf.com
Parameter
Total Gate Charge (turn-on)
Gate - Emitter Charge (turn-on)
Gate - Collector Charge (turn-on)
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-On Switching Loss
Turn-Off Switching Loss
Total Switching Loss
Short Circuit Withstand Time
Min. Typ. Max. Units
—
19
—
2.9
—
9.8
—
11
—
24
—
51
—
190
—
0.16
—
0.10
—
0.26 0.32
10
—
Conditions
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on
E
off
E
ts
t
sc
29
4.3
15
—
—
77
290
—
—
I
C
= 5.0A
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
nC
See Fig.8
T
J
= 25°C
I
C
= 5.0A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 100
Energy losses include "tail"
See Fig. 9,10,14
mJ
—
μs
V
CC
= 400V, T
J
= 125°C
V
GE
= 15V, R
G
= 100
, V
CPK
< 500V
T
J
= 150°C,
I
C
= 5.0A, V
CC
= 480V
V
GE
= 15V, R
G
= 100
Energy losses include "tail"
See Fig. 10,11,14
Measured 5mm from package
V
GE
= 0V
V
CC
= 30V
See Fig. 7
= 1.0MHz
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
ts
L
E
C
ies
C
oes
C
res
Notes:
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Switching Loss
Internal Emitter Inductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
—
—
—
—
—
—
—
—
—
11
27
67
350
0.47
7.5
220
29
7.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
mJ
nH
pF
Parameter
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Collector Breakdown Voltage
V
(BR)CES
/
T
J
Temperature Coeff. of Breakdown Voltage
Min. Typ. Max. Units
600
—
18
—
—
0.58
—
2.39
—
3.25
—
2.63
3.0
—
—
-11
1.2
1.8
—
—
—
—
—
—
—
—
Conditions
V
(BR)CES
V
(BR)ECS
—
—
—
2.62
—
—
6.5
—
—
250
2.0
1000
±100
V
V
V
GE
= 0V, I
C
= 250μA
V
GE
= 0V, I
C
= 1.0A
V
GE
= 0V, I
C
= 1.0mA
I
C
= 5.0A V
GE
= 15V
I
C
= 9.0A
I
C
= 5.0A , T
J
= 150°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
mV/°C V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
S
V
CE
= 50 V, I
C
= 5.0A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V, T
J
= 25°C
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V, T
J
= 150°C
nA
V
GE
= ±20V
V/°C
V
CE(ON)
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
See Fig.2, 5
V
GE(th)
V
GE(th)
/
T
J
g
fe
Gate Threshold Voltage
Temperature Coeff. of Threshold Voltage
Forward Transconductance
I
GES
Gate-to-Emitter Leakage Current
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
Switching Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Repetitive rating; pulse width limited by maximum
junction temperature.
Pulse width
≤
80μs; duty factor
≤
Pulse width 5.0μs, single shot.
Repetitive rating; V
= 20V, pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 13b )
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V, L = 10μH, R
G
= 100
,
(See fig. 13a)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB20B60PD1PBF WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4055PbF PDP TRENCH 1GBT
IRGB4060DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGBC20F Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)(超快速絕緣柵型雙極型晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRG4RC10KTR 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4RC10KTRL 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A LEFT D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4RC10KTRR 功能描述:IGBT UFAST 600V 9A RIGHT D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IRG4RC10S 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT D-PAK
IRG4RC10SD 功能描述:IGBT STD W/DIODE 600V 8.0A D-PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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