參數(shù)資料
型號： IRFB18N50K
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.26ohm, Id=27A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）最大值\u003d 0.26ohm，身份證\u003d 27A條）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 83K
代理商： IRFB18N50K
IRFB18N50K
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB20N50K SMPS MOSFET
IRFBA1404 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)
IRFBA1404P Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)
IRFBA1405 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
IRFBA1405P Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFB18N50KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB20N50K 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB20N50KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB20N50KPBF 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CH MOSFET, 500V, 20A, TO-220AB
IRFB23N15 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
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