參數(shù)資料
型號： IRFB18N50K
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.26ohm, Id=27A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）最大值\u003d 0.26ohm，身份證\u003d 27A條）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRFB18N50K
IRFB18N50K
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Fig 13a.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13b.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12a.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12d.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12c.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
150
300
450
600
750
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
7.6A
11A
17A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRFB20N50K SMPS MOSFET
IRFBA1404 Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)
IRFBA1404P Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A)
IRFBA1405 Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
IRFBA1405P Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRFB18N50KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB20N50K 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB20N50KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB20N50KPBF 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CH MOSFET, 500V, 20A, TO-220AB
IRFB23N15 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A)
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