型號: | IRFB18N50K |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.26ohm, Id=27A) |
中文描述: | 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds(on)最大值\u003d 0.26ohm,身份證\u003d 27A條) |
文件頁數(shù): | 4/8頁 |
文件大?。?/td> | 83K |
代理商: | IRFB18N50K |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRFB20N50K | SMPS MOSFET |
IRFBA1404 | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A) |
IRFBA1404P | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=3.7mohm, Id=206A) |
IRFBA1405 | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A) |
IRFBA1405P | Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=5.0mohm, Id=174A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRFB18N50KPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFB20N50K | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFB20N50KPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 20 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRFB20N50KPBF | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CH MOSFET, 500V, 20A, TO-220AB |
IRFB23N15 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.090ohm, Id=23A) |