- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385442 > IRF7471 (International Rectifier) Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF7471 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的Rds（on）最大值\u003d 13mohm，身份證\u003d 10A條） |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 214K |
| 代理商： | IRF7471 |
IRF7471
8
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 9.4mH
R
G
= 25
, I
AS
= 8.0A.
Notes:
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
When mounted on 1 inch square copper board.
330.00
(12.992)
MAX.
14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )
NOTES :
1. CO NTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
FEED DIRECTION
TERMINAL NUMBER 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOW N IN MILLIMETERS(INCHES).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
SO-8 Tape and Reel
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial
market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
3/01
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7473PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7473 | Power MOSFET(Vdss=100V, iD=6.9A) |
| IRF7474PBF | HEXFET㈢Power MOSFET |
| IRF7474 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7475PBF | HEXFET Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7471HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 10A 8PIN SO - Rail/Tube |
| IRF7471PBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7471TR | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7471TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7471TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 10A 13mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。