參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7474
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 224K
代理商： IRF7474
www.irf.com
1
9/3/01
IRF7474
HEXFET
Power MOSFET
Parameter
Max.
4.5
3.6
36
2.5
0.02
± 20
5.5
Units
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
A
W
W/°C
V
V/ns
V
GS
dv/dt
T
J
T
STG
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Absolute Maximum Ratings
Notes
through
are on page 8
SO-8
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
V
DSS
100V
R
DS(on)
max
63
m
@V
GS
= 10V
I
D
4.5A
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
l
Telecom and Data-Com 24 and 48V
input DC-DC converters
l
Motor Control
l
Uninterruptible Power Supply
Benefits
l
Low On-Resistance
l
High Speed Switching
l
Low Gate Drive Current Due to Improved
Gate Charge Characteristic
l
Improved Avalanche Ruggedness and
Dynamic dv/dt
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Applications
PD- 94097
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PDF描述
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