參數(shù)資料
型號： IRF7471
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的Rds（on）最大值\u003d 13mohm，身份證\u003d 10A條）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 214K
代理商： IRF7471
IRF7471
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 8.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 8.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 8.0A, V
R
= 20V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 8.0A, V
R
=20V
di/dt = 100A/μs
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.80
0.65
69
130
73
160
1.3
–––
100
200
110
240
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Parameter
Min. Typ. Max. Units
40
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.043 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
9.5
12
–––
–––
–––
–––
–––
13
16
3.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 10A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 8.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
S
D
G
Diode Characteristics
2.3
83
A
V
SD
Diode Forward Voltage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
300
8.0
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
Min. Typ. Max. Units
22
–––
–––
21 32 I
D
= 8.0A
–––
7.2
11
–––
8.2
12
–––
23
35
–––
12
–––
–––
2.7
–––
–––
15
–––
–––
4.1
–––
–––
2820
–––
–––
700
–––
–––
46
–––
Conditions
V
DS
= 20V, I
D
= 8.0A
–––
S
nC
V
DS
= 20V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 16V
V
DD
= 20V
I
D
= 8.0A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 20V
= 1.0MHz
pF
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IRF7471PBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7471TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7471TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7471TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 10A 13mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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