參數(shù)資料
型號： IRF7471
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 40V的，的Rds（on）最大值\u003d 13mohm，身份證\u003d 10A條）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRF7471
IRF7471
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 13a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 14a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 14c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(B R)D SS
I
AS
RG
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
3.6A
6.4A
8.0A
TOP
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.010
0.012
0.014
0.016
0.018
0.020
RD
)
ID = 10A
0
20
40
60
80
100
ID , Drain Current (A)
0.010
0.012
0.014
0.016
0.018
0.020
RD
)
VGS = 10V
VGS = 4.5V
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IRF7471TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7471TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 10A 13mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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